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  词对"体硅" "bulk-silicon"来自以下论文
论文关键词词对:漂移区 drift region;金属场极板 metal-field-plate;击穿电压 breakdown voltage;体硅 bulk-silicon;
——来源文献(篇名:500V体硅N-LDMOS器件研究 刊名:固体电子学研究与进展 作者:陆生礼;孙伟锋;易扬波;伍玉萍; 出版年:2005)
论文关键词词对:体硅 bulk-silicon;doubleRESURF double RESURF;表面电场 surface electrical field;优化设计 optimization;
——来源文献(篇名:体硅Double RESURF器件表面电场解析模型及优化设计(英文) 刊名:半导体学报 作者:李琦;李肇基;张波; 出版年:2006)
论文关键词词对:功率器件power device;漂移区drift region;金属场极板metal-field-plate;击穿电压breakdown voltage;体硅bulk-silicon;
——来源文献(篇名:100V体硅N-LDMOS器件研究 刊名:电子器件 作者:许坚;孙伟峰;李海松; 出版年:2008)
    
类别频次
无线电电子学14
仪器仪表工业2

 
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