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   红外器件 的翻译结果: 查询用时:0.863秒
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红外器件
相关语句
  infrared devices
     Application of MEMS Technology to Infrared Devices Fabrication
     ME MS技术用于红外器件制作
短句来源
     DIAMONDLIKE FILM AS AN ANTIREFLECTIVE AND PASSIVATION COATING ON HgCdTe INFRARED DEVICES
     类金刚石薄膜作为HgCdTe红外器件增透膜和钝化膜的研究
短句来源
     As a direct wide-band-gap II-VI semiconductor, ZnSe single crystal has been identified as an important contender for the fabrication of blue-green light-diodes, nonlinear optic-electronic components and infrared devices.
     ZnSe作为最重要的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体,其单晶在兰绿光发射器件、非线性光电器件和红外器件方面有着广泛的应用。
短句来源
     The World-wide Development Status of Infrared Devices
     红外器件国内外发展动态
短句来源
     As an important direct wide-band-gap II-VI semiconductor, ZnSe has been identified as a potential material for the fabrication of blue-green light-diodes, nonlinear optic-electronic components, infrared devices and thin film solar cells.
     ZnSe作为重要的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体,在兰绿光发射器件、非线性光电器件、红外器件以及薄膜太阳能电池等方面有着广泛的应用。
短句来源
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  infrared device
     Discussion on the Model HQC-2 Infrared Device Test Rig
     HQC-2型红外器件测试台的设计与调试
短句来源
     A new design and technique for making model HQC-2 infrared device test rig is discussed in this paper. With this improvement, the highinput impedance and low noise AC-impedance convertor has been fabricated. The paper also describes the electro-magnetic shield technique.
     本文讨论了HQC—2型红外器件测试台高输入阻抗、超低噪声交流阻抗变换器的设计技术和电磁屏蔽技术。
短句来源
  “红外器件”译为未确定词的双语例句
     Summarize of the HgCdTe Material Growth and the Infrared Detector
     HgCdTe材料的制备及其红外器件综述
短句来源
     HOT WALL EPITAXY AND IR DEVICES MADE OF Ⅳ-Ⅵ SEMICONDUCTORS
     热壁外延与Ⅳ-Ⅵ族半导体红外器件
短句来源
     In order to enhance the resolution of infrared image and take full advantage of the scan data with corresponding space information,the infrared frame image simulation with equal row frequency sampling is studied with emphasis.
     为了有效提高红外图像的分辨率,充分利用红外器件获得的扫描数据和相应的空间信息,文中重点研究了基于圆锥扫描的等行频采样方式下红外图像帧重建仿真。
短句来源
     The GaAs/AlGaAs multiple quantum well structures for infrared detector has been rapidily developing in recent years。
     半导体超晶格量子阱红外探测器的研制近年来取得了引人注目的成果,其中 GaAs/AlGaAs 红外器件的发展最快。
短句来源
     In this paper,bythemeasurement of excitation andemission spectrum ofdectron trappinginfra-red up-conversion materials,it is proved that ET(Electron Trapping)materials have such aswideexcitation spectrum( 0.8~1.6 μm)advantages over normal infra-red devices,itprovided thereliable basis for the wide application of this kind of material.
     本文通过对电子陷获型红外上转换材料的激发光谱和发光光谱特性曲线的测试,论证该材料与一般红外器件相比,具有响应光谱范围广(0.8~1.6μm)等优点,为该材料的推广应用提供了可靠的依据。
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例句
为了更好的帮助您理解掌握查询词或其译词在地道英语中的实际用法,我们为您准备了出自英文原文的大量英语例句,供您参考。
  infrared devices
The photoluminescence decay times indicate the possibility of interlevel radiative recombination from the second excited state, which is of particular importance for designing mid-infrared devices.
      
Conical antennas as coupling structures for microwave and infrared devices
      
This paper has been devoted to conical antennas considered as possible coupling structures for microwave or infrared devices.
      
These conclusions may be useful in guiding the design of such infrared devices.
      
In order to design infrared devices efficiently, dispersive properties of two dimensional photonic crystal is studied in this paper.
      
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  infrared device
Relationship between muscle architectural features and oxygenation status determined by near infrared device
      
In autumn 1998, nocturnal bird migration at Falsterbo was recorded over a period of three months by means of a passive infrared device.
      
A passive infrared device provided data on the intensity and direction of nocturnal passage at 9 different sites for 20 nights from dawn to dusk.
      
Infrared device for simultaneous measurement of fluctuations of atmospheric carbon dioxide and water vapor
      
An infrared device designed to measure simultaneous fluctuations of atmospheric CO2 and water vapor concentrations is described.
      
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The analysis results of the residual gases in vacuum jacket of infrared detectors by using quadruple mass spectrometer have been described. The technological condition of the thermal de(?)orption of infrared detectors has been obtained. The maximum temperature of baking infrared photo-conductive detectors can be up to 105℃. Besides, it is shown that package processing, enviro(?), (?)ality of (?)er (?)ating and conditien of getter are very important.

本文报导了利用四极质谱仪对红外器件真空层残气质谱分析的结果,并用它得到器件热脱刚处理工艺条件。光电导红外器件的烘烤温度可达105℃。并认为密封环境、镀银工艺的控制、消气剂设置都是重要的。随着红外应用技术的迅速发展,作为红外仪器心脏部分的探测器件,其性能的可靠性和稳定性越来越引起制造者和用户的关注。以往我们比较重视光敏元件本身的性能而对真空封装用的杜瓦瓶并不那么重视。但在实际使用中杜瓦瓶的地位并不亚于光敏元本身。在国外,许多研制生产红外探测器的厂商都将半数以上的研究技术力量投入封装和可靠性工艺。本工作的根本目的,是使工作在低温(77K)的玻璃杜瓦瓶贮LN_2的时间尽量长,即要求杜瓦瓶的真空绝热性能特别好,所以本工作归根结蒂是一个解决高真空的绝热问题。根据一般气体的脱附的弗兰克尔公式: T=T_0exp((Ed)/(RT))温度和脱附时间是反比的指数关系,因此烘烤温度无疑是影响残气脱附最重要的因素。需要指出的是:我们的红外器件目前还经不起较高温度的烘烤,这是由化合物材料自身的性能所决定的。这样,上述的问题就演变成一个“在有限烘烤温度下的高真空获得”的问题。本文,将主要运用对残气...

本文报导了利用四极质谱仪对红外器件真空层残气质谱分析的结果,并用它得到器件热脱刚处理工艺条件。光电导红外器件的烘烤温度可达105℃。并认为密封环境、镀银工艺的控制、消气剂设置都是重要的。随着红外应用技术的迅速发展,作为红外仪器心脏部分的探测器件,其性能的可靠性和稳定性越来越引起制造者和用户的关注。以往我们比较重视光敏元件本身的性能而对真空封装用的杜瓦瓶并不那么重视。但在实际使用中杜瓦瓶的地位并不亚于光敏元本身。在国外,许多研制生产红外探测器的厂商都将半数以上的研究技术力量投入封装和可靠性工艺。本工作的根本目的,是使工作在低温(77K)的玻璃杜瓦瓶贮LN_2的时间尽量长,即要求杜瓦瓶的真空绝热性能特别好,所以本工作归根结蒂是一个解决高真空的绝热问题。根据一般气体的脱附的弗兰克尔公式: T=T_0exp((Ed)/(RT))温度和脱附时间是反比的指数关系,因此烘烤温度无疑是影响残气脱附最重要的因素。需要指出的是:我们的红外器件目前还经不起较高温度的烘烤,这是由化合物材料自身的性能所决定的。这样,上述的问题就演变成一个“在有限烘烤温度下的高真空获得”的问题。本文,将主要运用对残气质谱分析的方法对真空封装工艺进行深入的研究,至于其它问题,后面的讨论部分作进一步的论述。

A new design and technique for making model HQC-2 infrared device test rig is discussed in this paper. With this improvement, the highinput impedance and low noise AC-impedance convertor has been fabricated. The paper also describes the electro-magnetic shield technique.

本文讨论了HQC—2型红外器件测试台高输入阻抗、超低噪声交流阻抗变换器的设计技术和电磁屏蔽技术。

This article outlines the role and position of infrared devices in weapon systems and details the world-wide development status of infrared technology.

本文阐述了红外器件在军事武器系统中的用途和地位;详细地介绍了世界各国红外器件发展状况。

 
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