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   残差放大器 的翻译结果: 查询用时:0.021秒
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残差放大器
相关语句
  residue amplifier
     The comparator circuit and residue amplifier are designed based on BiCMOS and A/D principle.
     在BiCMOS工艺基础上,根据A/D转换器的工作原理、结构特点设计出比较器电路,残差放大器
短句来源
     The comparator and the residue amplifier are simulated by the software with 600ns comparator transient response time, 1.5μm residue amplifier founding time and 2dB voltage gain. The performances are higher than the similar components.
     最后对设计的比较器和残差放大器电路进行仿真,得出比较器瞬态响应突变时间为600ns,残差放大器建立时间为1 5μs、放大增益约为2dB,其性能指标超出了同类器件。
短句来源
  相似匹配句对
     Brain Mave Amplifier
     脑波放大器
短句来源
     \$ estimation.
     估计的残差
短句来源
     ON THE LOW-PASS DISTRIBUTED AMPLIFIER
     分布式放大器
短句来源
     estimation. under
     S估计所得的残差
短句来源
查询“残差放大器”译词为用户自定义的双语例句

    我想查看译文中含有:的双语例句
例句
为了更好的帮助您理解掌握查询词或其译词在地道英语中的实际用法,我们为您准备了出自英文原文的大量英语例句,供您参考。
  residue amplifier
Each pipelined stage shown in Figure 1 contains an ADC, a reconstruction DAC and an interstage residue amplifier.
      
Furthermore, the loading of the residue amplifier is reduced because and never switch on at the same time.
      
For all following cycles, the S/H input is switched to the residue amplifier output.
      
Figure 5. 12b ADC system with a current residue amplifier for low voltage.
      
In practice, some errors such as common-mode-to-differential-mode conversion in the residue amplifier can cause D0 D1 to differ slightly from D2 D3.
      
更多          


The 10-bit high-speed analog-to-digital converter is studied. The two-step structure is used for the A/D converter including two 5-bit flashes ADC. The comparator circuit and residue amplifier are designed based on BiCMOS and A/D principle. The comparator and the residue amplifier are simulated by the software with 600ns comparator transient response time, 1.5μm residue amplifier founding time and 2dB voltage gain. The performances are higher than the similar components.

研究一种基于BICMOS工艺的高速十位A/D转换器,这种转换器采用二步分区式结构,包含了二个5位的全平行(闪烁型)ADC。在BiCMOS工艺基础上,根据A/D转换器的工作原理、结构特点设计出比较器电路,残差放大器。最后对设计的比较器和残差放大器电路进行仿真,得出比较器瞬态响应突变时间为600ns,残差放大器建立时间为1 5μs、放大增益约为2dB,其性能指标超出了同类器件。

 
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