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新型光电器件
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  “新型光电器件”译为未确定词的双语例句
     That is a new sample for high power, high bit rate signal optical transmitting. We provide feasible approach for high performance optical communication system.
     该发射模块设计是在对新型光电器件研究的基础上进行的,对于大功率、高速率的信号光发射技术是一种新的尝试和研究,为以后更高功率、更高码率空间光通信系统的设计提供了一条切实可行的途径。
短句来源
     Wide band gap Ⅲ group nitride semiconductor materials have potential applications in new optical electronic devices, its study becom active forward position in material science.
     宽带隙Ⅲ族氮化物半导体材料在新型光电器件中具有潜在的应用,它的研究目前已成为材料科学中一个极其活跃的前沿。
短句来源
     The structure and fabrication of double-insulation layer tunnel junction(MIMIS) are introduced.
     介绍了一种新型光电器件 ,即双绝缘层MIMIS隧道发光器件的结构和制备。
短句来源
     In this work, a novel light source of strained InGaAsP/InGaAsP MQW EAM monolithically integrated with DFB laser is fabricated by ultra-low-pressure (22×10~2Pa) selective area growth (SAG) MOCVD technique. Superior device performances have been obtained, such as low threshold current of 19 mA, output light power of about 7 mW, and over 16 dB extinction ratio at 5 V applied voltage when coupled into a single mode fiber.
     采用超低压(22×10~2Pa)选择区域生长(selective area growth,SAG)金属有机化学气相沉积(metal-organic chemicalvapor deposition,MOCVD)技术成功制备了应变型InGaAsP/InGaAsP电吸收调制器(electroabsorption modulator,EAM)与分布反馈激光器(distribute feedbacklaser,DFB)单片集成光源的新型光电器件.
短句来源
     This paper introduces a kind of new photo-electric device -- AT-MCP. The limitations of RLSG-MCP and the advantages of AT-MCP are discussed. Some experiments done by the author are given.
     这里介绍一种新型光电器件-新型微通道板(AT-MCP),阐述了目前还原铅硅玻璃微通道板(RLSG-MCP)存在的局限性及与其比较AT-MCP所具有的优点.
短句来源
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  相似匹配句对
     Novel Optoelectronic Devices
     几种新型光电器件
短句来源
     Inexpensive Photoelectric Experiments on New Type Devices
     廉价的新型器件光电实验
短句来源
     A new optoelectronic detector
     新型光电检测仪器
短句来源
     A Novel Silicon Photoelectric Negative Resistance Device
     一种新型结构的光电负阻器件
短句来源
     Organic Optoelectronic Device with Switchable Character
     新型有机光电开关器件
短句来源
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Room temperature luminescent porous silicon is a new type of material for optoelectronic devices. The quenching or enhancement of visible photoluminescence and the changes of electric properties from porous silicon, as chemical sensing information, may be used in the chemical sensing technology. This review summarizes the researches on porous silicon for the chemical sensing purpose from the first report of luminescent porous silicon to 1995.,

发光多孔硅是一种新型的光电器件材料。其荧光的猝灭或增敏,以及其电学特性(电容、电导等)的变化可作为化学传感信息用于化学传感技术。本文评述了自发光多孔硅首次报道以来在化学传感领域的应用研究进展。

Nanocrystalline silicon film s have special structure and m any excellent optoelectronic prop erties, and are supposed to be applied in optoelectronic devices and large scale integrated circuits. In this pa per, the preparation, deposition m echanism , structure nature and optoelectronic properties of nc Si: H film sare review ed. Its future application is also prospected.

纳米硅薄膜具有独特的结构和许多优异的光电性能,可望应用于新型光电器件、大规模集成电路等领域。本文从制备技术、沉积机理、结构和性能各方面对纳米硅薄膜的研究进展情况作了回顾和综述,并对其发展前景作了展望

Wide band gap Ⅲ group nitride semiconductor materials have potential applications in new optical electronic devices, its study becom active forward position in material science. This paper introduce vapor epitaxy growth on Ⅲ group nitride GaN, InN, AlN, InGaN and InAlN based on surface thermodynamics. Such as MOVPE, MBE and HaVPE. Similarties and differences on vapor epitaxy growth of Ⅲ group nitride and conventioal Ⅲ group compound are also discussed.

宽带隙Ⅲ族氮化物半导体材料在新型光电器件中具有潜在的应用,它的研究目前已成为材料科学中一个极其活跃的前沿。本文从表面热力学反应的角度出发,着重介绍了GaN、InN、AlN、InGaN以及InAlN等Ⅲ族氮化物材料的气相外延生长,如金属有机化学气相沉积(MOVPE),分子束外延(MBE)以及卤化物气相外(HaVPE)等,最后简要讨论了Ⅲ族氮化物与常规Ⅲ族化合物气相外延生长的某些异同点。

 
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