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   叠层结构器件 的翻译结果: 查询用时:0.023秒
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叠层结构器件
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  multilayer devices
A new computer design program based on the modified-complex method has been developed for constrained optimization and refinement of optical thin-film multilayer devices.
      
A wide varieties of highly useful multilayer devices have been successfully developed using this method.
      
Three strategies for the construction of multilayer devices will be described.
      
For both ex-situ and in-situ electrical characterization, such features of interest are isolated interfaces and grain boundaries in electroceramics and multilayer devices, including those in as-prepared TEM specimen.
      
Effect of nano-sized TiO2 powder on Ag-electrode in piezoelectric multilayer devices
      
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The low frequency noises of two types of HgCdTe medium wave photoconductive infrareddetectors were measured and analyzed. The noise of detectors with contact overlap structure is larger than that of conventional ones. An edge contacts asymmetrical metal insulator-semiconductor modelis put forward to explain the noise character. The larger noise of overlap structure is mainly causedby the depletion layer, which will appear under overlap electrodes when the detectors are biased.

对两种不同结构的中波碲镉汞光导红外探测器件的噪声进行了测量,发现叠层结构器件的低频噪声比具有简单结构器件的大。针对叠层结构,提出了用来分析噪声的边缘接触不对称MIS结构模型。分析表明,叠层电极下的碲镉汞表面在偏置电压作用下,容易出现耗尽层是低频噪声增加的主要原因。

 
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