助手标题  
全文文献 工具书 数字 学术定义 翻译助手 学术趋势 更多
查询帮助
意见反馈
   半导体蓝色激光器 的翻译结果: 查询用时:0.356秒
图标索引 在分类学科中查询
所有学科
物理学
无线电电子学
更多类别查询

图标索引 历史查询
 

半导体蓝色激光器
相关语句
  “半导体蓝色激光器”译为未确定词的双语例句
     A New Direction in the Fabrication of wide Band gap Ⅱ Ⅵ Blue Laser Diodes *
     实现Ⅱ-Ⅵ族半导体蓝色激光器的新途径
短句来源
     Light emitting diodes with a life time of 1000 hr have been fabricated from BeMgZnSe/ZnSe quantum wells by Landwehr et al. The structure and characteristics of the diodes are reviewed; in light of the possibility of fabricating long lifetime Ⅱ Ⅵ blue laser.
     介绍了一种以Be的Ⅵ族化合物BeMgZnSe与ZnSe组成的量子阱发光二极管的结构、性能和特点,它有可能是实现长寿命ⅡⅥ族半导体蓝色激光器的一条新途径
短句来源
     GaN material is a kind of compound semiconductor with excellent perform ance. GaN and its correlative compound semiconductor materials are ideal for fab ricating exceed high light-emitting blue and green diode,UV detector and semico nductor blue laser etc. In this paper,investigation on GaN-based optoelectronic devices and their applications is summarized.
     GaN材料是性能优越的化合物半导体,与其相关的合金材料可以制作出高亮度蓝光、绿光发光二极管、紫外探测器、半导体蓝色激光器(LD)等具有重要应用价值的光电子器件,因而备受重视,本文综述了GaN基光电子器件研究开发现状及其应用前景。
短句来源
  相似匹配句对
     Review Semiconductor Lasers
     半导体激光器面面观
短句来源
     The External Cavity Semiconductor Laser
     外腔半导体激光器
短句来源
     A New Direction in the Fabrication of wide Band gap Ⅱ Ⅵ Blue Laser Diodes *
     实现Ⅱ-Ⅵ族半导体蓝色激光器的新途径
短句来源
     BLUE
     蓝色
短句来源
查询“半导体蓝色激光器”译词为用户自定义的双语例句

    我想查看译文中含有:的双语例句
例句
为了更好的帮助您理解掌握查询词或其译词在地道英语中的实际用法,我们为您准备了出自英文原文的大量英语例句,供您参考。
  blue laser diode
Relaxation effects and high sensitivity photoacoustic detection of NO2 with a blue laser diode
      
A detection limit of 200?ppt of NO2 in N2 at atmospheric pressure was obtained with a photoacoustic detector and a high power blue laser diode.
      
Also, to compensate for chromatic aberration, which is a serious problem for optics using a blue laser diode, a diffractive optical element is also designed.
      
Interfacial reaction and electrical property of Ge/Ni/ZnSe for blue laser diode
      


Light emitting diodes with a life time of 1000 hr have been fabricated from BeMgZnSe/ZnSe quantum wells by Landwehr et al. The structure and characteristics of the diodes are reviewed; in light of the possibility of fabricating long lifetime Ⅱ Ⅵ blue laser.

介绍了一种以Be的Ⅵ族化合物BeMgZnSe与ZnSe组成的量子阱发光二极管的结构、性能和特点,它有可能是实现长寿命ⅡⅥ族半导体蓝色激光器的一条新途径

GaN material is a kind of compound semiconductor with excellent perform ance. GaN and its correlative compound semiconductor materials are ideal for fab ricating exceed high light-emitting blue and green diode,UV detector and semico nductor blue laser etc. In this paper,investigation on GaN-based optoelectronic devices and their applications is summarized.

GaN材料是性能优越的化合物半导体,与其相关的合金材料可以制作出高亮度蓝光、绿光发光二极管、紫外探测器、半导体蓝色激光器(LD)等具有重要应用价值的光电子器件,因而备受重视,本文综述了GaN基光电子器件研究开发现状及其应用前景。

 
图标索引 相关查询

 


 
CNKI小工具
在英文学术搜索中查有关半导体蓝色激光器的内容
在知识搜索中查有关半导体蓝色激光器的内容
在数字搜索中查有关半导体蓝色激光器的内容
在概念知识元中查有关半导体蓝色激光器的内容
在学术趋势中查有关半导体蓝色激光器的内容
 
 

CNKI主页设CNKI翻译助手为主页 | 收藏CNKI翻译助手 | 广告服务 | 英文学术搜索
版权图标  2008 CNKI-中国知网
京ICP证040431号 互联网出版许可证 新出网证(京)字008号
北京市公安局海淀分局 备案号:110 1081725
版权图标 2008中国知网(cnki) 中国学术期刊(光盘版)电子杂志社