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能带边结构
band edge structures
Pseudopotential Calculation of the Band Edge Structures of the Type Ⅱ InAs/GaSb(001) Superlattices 第二类InAs／GaSb（001）半导体超晶格能带边结构的赝势计算 短句来源 “能带边结构”译为未确定词的双语例句
The energy band edges of the type Ⅱ InAs/GaSb superlattices as a function of InAs and GaSb layer thickness are calculated with a new pseudopotential method. The results show the various trends of deep shallow transitions of impurities in the superlattices. The regime in which the superlattices change from semiconductor to semimetal is also showed. 采用一种新的赝势方法计算了第二类InAs／GaSb超晶格能带边结构随着InAs和GaSb层厚变化的规律．计算结果显示，随着InAs和GaSb层厚的变化，超晶格中杂质将经历不同的深—浅杂质转变过程．同时，我们还得到超晶格发生半导体—半金属转变的区域 短句来源 相似匹配句对
The energy band structure of NaCl crystal NaCl晶体的能带结构 短句来源 THE ENERGY BAND STRUCTURE OF THE θ-VACUUM θ真空的能带结构 短句来源 Using AFS algebra and AFS structure, any human ordinary fuzzy concept can be represented. 结构。 短句来源 Compared the actuality of the structure of th *; 结构; 短句来源 Pseudopotential Calculation of the Band Edge Structures of the Type Ⅱ InAs/GaSb(001) Superlattices 第二类InAs／GaSb（001）半导体超晶格能带边结构的赝势计算 短句来源 
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The energy band edges of the type Ⅱ InAs/GaSb superlattices as a function of InAs and GaSb layer thickness are calculated with a new pseudopotential method.The results show the various trends of deep shallow transitions of impurities in the superlattices.The regime in which the superlattices change from semiconductor to semimetal is also showed. 采用一种新的赝势方法计算了第二类ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ超晶格能带边结构随着ＩｎＡｓ和ＧａＳｂ层厚变化的规律．计算结果显示，随着ＩｎＡｓ和ＧａＳｂ层厚的变化，超晶格中杂质将经历不同的深—浅杂质转变过程．同时，我们还得到超晶格发生半导体—半金属转变的区域 文摘来源 
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