n型电导 n-type conductance(1) n type electrical conduction(1)   n-type conductance      In the case of Cs~+ ion permeating into the lattice space of TiO_2,the n-type conductance of TiO_2 that has VO_4 tetrahedron combined on its surfacewill be increased. It favors the grasp of oxygen atom from gas phase.      Cs~+渗入到TiO_2晶格间隙,能提高联结有 VO_4四面体的 TiO_2的n 型电导,对于 VO_4捕捉气相氧原子有利。 短句来源   n type electrical conduction      The films were implanted with 80keV phosphorus,BBr 3,Ar,and He ions,under doses ranging up to 10 16 cm -2 The resistivity of the implanted films decreases with increasing doses n type electrical conduction was observed for phosphorus implanted C 60 films. The interaction of impinging ions with C 60 clusters was found to force the C 60 molecules to disintegrate and the films to amorphize.      用80keVp＋，BBr3＋，Ar＋和He＋对C60膜作剂量范围为0—1016cm－2的离子注入，C60膜的电阻率随注入剂量的增加而下降，p＋注入使膜呈n型电导，离子与C60团簇的相互作用导致C60分裂，并使膜表面非晶化。 短句来源   “n型电导”译为未确定词的双语例句      Study of n-type electrical conductivity in deuterated boron-doped diamond      氘化硼掺杂金刚石n型电导的研究 短句来源      A unusual area showed when the length of annealingtime is about 3 minutes, the reason of which should be discussed further.      在退火时间为3分钟时,出现一个退火反常区域,薄膜呈n型电导,其原因有待进一步探讨。 短句来源      When the Na2CO3 content is increased say to 7.8 wt%, the Na + enhance will occupy the interstitial position and therefore the n-type conductivity of Sm2O3. Change of the n-type conductivity directly affects the step of O2 + 2e → 2 Os-.      本文从Sm_2O_3的n型电导的杂质效应及不同晶相间的相互作用,对催化剂表面氧的吸附量和O~-的吸附强度的影响方面讨论了助剂的作用。 短句来源      Recent report showed that exposure of p-type (B doped) homoepitaxial diamond layers to deuterium plasma can form n-type diamond with a shallow donor state.      最近报道显示,硼掺杂同质外延金刚石层暴露在氘离子束中能形成浅施主态的n型电导。 短句来源   相似匹配句对      (2)C shape;      C型 ; 短句来源      (3)D shape.      D型。 短句来源      Designing Conductance Adapter for the Digital Multimeter      数字万用表电导型附加器设计 短句来源      Study of n-type electrical conductivity in deuterated boron-doped diamond      氘化硼掺杂金刚石n型电导的研究 短句来源      Improving design of SDD model digital conductivity meter      SDD型数字电导仪改进设计 短句来源 查询“n型电导”译词为用户自定义的双语例句     我想查看译文中含有：的双语例句 为了更好的帮助您理解掌握查询词或其译词在地道英语中的实际用法，我们为您准备了出自英文原文的大量英语例句，供您参考。          Effect of added Na2CO3 and Group I transition metal oxides on the catalytic properties of Sm2O3 in oxidative coupling of methane has been studied using XRD, FTIR, DTA, DG and catalytic reaction. For oxidative coupling of methane to C2 hydrocarbons, reaction conditions were generally T=750℃, air/CH4 = 1.0/1.0 ( mol ), total gas space velocity 6000 ml· g-1 · h-1. The change of yield was found to be parallel to that of selectivity to C2 hydrocarbons over a series of Na2CO3/Sm2O3 catalysts, and quite complicate...             本文用XRD、IR、TG、DTA和催化反应色谱法研究了添加Na_2CO_3和第一过渡系列金属氧化物对Sm_2O_3甲烷氧化偶联催化性能的影响。结果表明;随Na_2CO_3含量的逐渐变化,C_2烃的产率和选择性呈现一个复杂的变化过程,0.2wt％CoO的加入使Sm_2O_3丧失了甲烷氧化偶联的活性,而提高了深度氧化活性,CO_2成为唯一的氧化产物;然而,同样量的CoO加入7.8wt％ Na_2CO_3/Sm_2O_3中,却明显提高了生成C_2烃的产率和选择性,其它过渡金属氧化物对7.8wt％ Na_2CO_3/Sm_2O_3的影响与这些氧化物的氧交换性质存在着平行关系,而与它们的表面Me=O键能成反比。本文从Sm_2O_3的n型电导的杂质效应及不同晶相间的相互作用,对催化剂表面氧的吸附量和O~-的吸附强度的影响方面讨论了助剂的作用。 文摘来源          Under the synergistic action of Cs~+ and P_2O_5,on Cs~+-P_2O_5-V_2O_5-TiO_2 as Cs(0.012)/PVT,the characteristic stretching vibration 1020 cm~(-1) of V=O bondfor crystal phase has prominently red-shifted to 1005 cm~(-1) while the stretch-ing vibration 879 cm~(-1) of V-O-V bond has also red-shifted to 859 cm~(-1),sug-gesting that part of V_2O_5 on TiO_2 surface has transformed into noncrystalphase and the V=O bond distance has elongated from 1.58(?)to 1.61(?).TPD spectra and IR spectra of ammonia adsorbed on ...             V_2O_5-TiO_2催化剂在 Cs~+(Cs/PVT=0.012)和 P_2O_5协同作用下,V_2O_5晶相 V=O 键的特征伸缩振动1020cm~(-1)明显地位移到1005cm~(-1),与此同时,V-O-V 键的特征伸缩振动由879cm~(-1)红移到859cm~(-1)。说明一部分 V_2O_5在 TiO_2表面上转为非晶相,V=O 键长由1.58伸长到1.61。NH_3-TPD 谱与 NH_3-IR 谱的结果表明,Cs~+与 P_2O_5的协同作用还显著地加强了催化剂表面的 B 酸和 L 酸的强度。但 Cs/V 原子比如大于0.012时,ESR 谱中游离 V~(4+)的超精细结构讯号明显加强,对催化反应不利。Cs~+渗入到TiO_2晶格间隙,能提高联结有 VO_4四面体的 TiO_2的n 型电导,对于 VO_4捕捉气相氧原子有利。当 Cs~+接近 P-OH、V-OH 或 Ti-OH 的氧原子时,能极化氢氧基,提高了 B 酸强度。当 VO_4四面体氧原子缺位时,Cs~+接近 V-O-Ti 键的桥氧原子,则可提高 L 酸 V⊕的强度。 文摘来源          C 60 films are prepared by means of ionized cluster beam(ICB) deposition,X ray diffraction(XRD) measurement showed that the C 60 films are of polycrystalline.The films show negative resistance temperature coefficients,and their room temperature resistivity is greater than 10 2 Ωcm.The films were implanted with 80keV phosphorus,BBr 3,Ar,and He ions,under doses ranging up to 10 16 cm -2 The resistivity of the implanted films decreases with increasing doses n type electrical conduction w...             用离化团簇束（ＩＣＢ）沉积法制备了Ｃ６０薄膜。ＸＲＤ测试表明，膜呈多晶结构；原位电阻测试表明，膜的室温电阻率超过１０３Ωｃｍ，具有负的电阻温度系数。用８０ｋｅＶｐ＋，ＢＢｒ３＋，Ａｒ＋和Ｈｅ＋对Ｃ６０膜作剂量范围为０—１０１６ｃｍ－２的离子注入，Ｃ６０膜的电阻率随注入剂量的增加而下降，ｐ＋注入使膜呈ｎ型电导，离子与Ｃ６０团簇的相互作用导致Ｃ６０分裂，并使膜表面非晶化。在沉积过程中溅射掺Ａｌ得到ｐ型Ｃ６０膜。Ｃ６０／Ｓｉ样品具有明显的异质结特性，光照对结特性有明显响应，掺Ａｌ后Ｃ６０／Ｓｉ的开路电压得到大幅度提高 文摘来源   << 更多相关文摘         相关查询: n型 n型gap n型si n连接型 n型保护区 n型催化剂 基本型n n-型 n型半导体 n型方钴矿 n型硅 n型结构  对查询结果不满意

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