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   场效应晶体管放大器 的翻译结果: 查询用时:0.493秒
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场效应晶体管放大器
相关语句
  fet amplifier
     3.8cm LOW NOISE ROOM TEMPERATURE FET AMPLIFIER
     3.8cm低噪声常温场效应晶体管放大器
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     The better results are obtained for the C-band FET amplifier designed with measured s parametere.
     用测出的s参数设计的C波段场效应晶体管放大器获得了初步良好的结果。
短句来源
     The smart pixel consists of an input SEED, an output SEED and a GaAs FET amplifier.
     这种灵巧像素由一个输入自电光效应器件,一个输出自电光效应器件及一个GaAs场效应晶体管放大器构成。
短句来源
  “场效应晶体管放大器”译为未确定词的双语例句
     This paper describes the practical design and perfermance of the low-noise MES-FET amplifier operating in the range of 17.5-18GHz.
     本文叙述在17.5~18GHz频带工作的低噪声场效应晶体管放大器之实用设计及其性能.
短句来源
     This paper describes a low-noise design of microvave GaAs F E T amplifiers and its applications.
     本文描述了微波低噪声砷化镓场效应晶体管放大器的设计及其应用.
短句来源
  相似匹配句对
     Miciowave Amplifier Using GaAs FET
     采用砷化镓场效应晶体管的微波放大器
短句来源
     Dual-Gate FET Wideband Electronic Tuned Amplifier
     双栅场效应晶体管宽带电调放大器
短句来源
     Brain Mave Amplifier
     脑波放大器
短句来源
     ON THE LOW-PASS DISTRIBUTED AMPLIFIER
     分布式放大器
短句来源
     The ferroelectric field effect transistor
     铁电场效应晶体管
短句来源
查询“场效应晶体管放大器”译词为用户自定义的双语例句

    我想查看译文中含有:的双语例句
例句
为了更好的帮助您理解掌握查询词或其译词在地道英语中的实际用法,我们为您准备了出自英文原文的大量英语例句,供您参考。
  fet amplifier
A low-noise 1.2-1.8 GHz cooled GaAs FET amplifier with mixer bias circuit is reported.
      
We have instrumented a room temperature gravitational-wave antenna with a prototype bimodal capacitive transducer and a conventional FET amplifier.
      
The induced signal had an amplitude twenty times larger than the detector noise when the antenna was equipped with an FET amplifier and was easily detected without requiring integration in time.
      
With our experimental values, obtained by using a FET amplifier, we get an instrumental sensitivityF(v) of 6 J/m2 Hz.
      
A maximum tuning range of about 600 MHz was obtained, with this range limited primarily by the Avantek GaAs FET amplifier that was used whose electrical length was equivalent to about 45 cm of air transmission line.
      
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FET noise parameters by drawing measurement and scattering parameters (s parameters) by network analyzer are presented. Noise parameters at the C-band and s parameters at the C/S band for WC50 low noise GaAs FET are provided. The better results are obtained for the C-band FET amplifier designed with measured s parametere.

本文介绍了用作图法测量场效应晶体管的噪声参数,用网络分析仪测量散射参数(s参数)的方法。给出了国产WC50型低噪声砷化镓场效应晶体管在C波段的噪声参数及在C、S波段的s参数。用测出的s参数设计的C波段场效应晶体管放大器获得了初步良好的结果。

This paper describes a low-noise design of microvave GaAs F E T amplifiers and its applications. This amplifier comprises two low-noise GaAs FET transistors cx50 B mounted on a metallized dielectric plate placed in an enclosure (100X60X40mm3). With this amplifier, have the following characteristics,

本文描述了微波低噪声砷化镓场效应晶体管放大器的设计及其应用.该放大器是由两个低噪声砷化镓场效应晶体管C×50B组成,制作在金属化了的聚四氟乙烯介质板上,并装在一个100×60×40mm~3的盒里。放大器的性能指标是:频率范围2.7GHz~3GHz,增益≥20db,噪声系数包括混频器≤1.8db。

This paper describes the practical design and perfermance of the low-noise MES-FET amplifier operating in the range of 17.5-18GHz. The amplifier consists of three cascaded microstrip gain stages and waveguide input/output ports. An noise figure of 4.5dB is obtained with an associated gain of 17dB.

本文叙述在17.5~18GHz频带工作的低噪声场效应晶体管放大器之实用设计及其性能.放大器包括三级级联微带放大电路和波导输入/输出端口,获得了4.5dB的噪声系数和17dB的总增益.

 
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