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high voltage driver circuit
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A CMOS operational amplifier(OPA) is implemented with specifically designed high-voltage LDMOS,which achieves high voltage driving capability(±150 V) and high gain(>80 dB).Simulation demonstrates that the maximum breakdown voltages of N-and P-channel LDMOS are higher than 320 V,and the isolation structure can withstand the voltage over 300 V,which ensure reliable operation of high-voltage amplification.The OPA is suitable for monolithic integration...

A CMOS operational amplifier(OPA) is implemented with specifically designed high-voltage LDMOS,which achieves high voltage driving capability(±150 V) and high gain(>80 dB).Simulation demonstrates that the maximum breakdown voltages of N-and P-channel LDMOS are higher than 320 V,and the isolation structure can withstand the voltage over 300 V,which ensure reliable operation of high-voltage amplification.The OPA is suitable for monolithic integration of high-voltage driver circuits in digital communication,such as programmable switchboard.

使用专门设计的LDMOS高压器件,实现了一个具有高压驱动能力(±150 V)和大增益(>80 dB)的CMOS运算放大器。模拟结果显示,N沟道和P沟道LDMOS晶体管的最大击穿电压都超过了320 V,高压隔离超过300 V,从而可以确保其高压放大功能。该运算放大器适用于数字通信,如程控交换机中的高压驱动电路的单片集成。

 
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