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   led epitaxial 在 计算机硬件技术 分类中 的翻译结果: 查询用时:0.068秒
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led epitaxial
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  led外延片
    The protection effect on v volume source gas running-over, the storage effect on Ⅲ volume source gas shutting-off and the delaying, and the memory effect on Mg doped in AIGaInP LED epitaxial layer grown by MOCVD are discussed.
    详细分析了 MOCVD AIGaInP LED外延片中 V族源的空流保护作用、Ⅲ族源的存储效应以及 Mg掺杂的延迟和记忆效应。
短句来源
    The source gas switch procedure is designed, and it is reasonable, practical, and useful for growing AlGaInP LED epitaxial layer with abrupt heterointerface, and without wide bandgap sandwich.
    设计出了合理实用的源气开关程序,它有利于生长无定带隙夹层、突变异质结界面的AIGaInP LED外延片
短句来源
  led外延
    The protection effect on v volume source gas running-over, the storage effect on Ⅲ volume source gas shutting-off and the delaying, and the memory effect on Mg doped in AIGaInP LED epitaxial layer grown by MOCVD are discussed.
    详细分析了 MOCVD AIGaInP LED外延片中 V族源的空流保护作用、Ⅲ族源的存储效应以及 Mg掺杂的延迟和记忆效应。
短句来源
    The source gas switch procedure is designed, and it is reasonable, practical, and useful for growing AlGaInP LED epitaxial layer with abrupt heterointerface, and without wide bandgap sandwich.
    设计出了合理实用的源气开关程序,它有利于生长无定带隙夹层、突变异质结界面的AIGaInP LED外延片。
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The protection effect on v volume source gas running-over, the storage effect on Ⅲ volume source gas shutting-off and the delaying, and the memory effect on Mg doped in AIGaInP LED epitaxial layer grown by MOCVD are discussed. The source gas switch procedure is designed, and it is reasonable, practical, and useful for growing AlGaInP LED epitaxial layer with abrupt heterointerface, and without wide bandgap sandwich.

详细分析了 MOCVD AIGaInP LED外延片中 V族源的空流保护作用、Ⅲ族源的存储效应以及 Mg掺杂的延迟和记忆效应。设计出了合理实用的源气开关程序,它有利于生长无定带隙夹层、突变异质结界面的AIGaInP LED外延片。

 
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