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   gradient refraction index 的翻译结果: 查询用时:0.192秒
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gradient refraction index
相关语句
  梯度折射率
     Using LD pumped single mode Nd∶YVO 4 double frequency laser, gradient refraction index fiber lens and CCD camera etc, the sensing experiment setup of Fizeau gradient refraction index fiber lens is made up.
     采用 L D泵浦的单纵模 Nd∶ YVO4倍频激光器、梯度折射率光纤透镜等器件构成斐索梯度折射率光纤透镜传感实验仪 .
短句来源
     The GaAlAs/GaAs material with gradient refraction index separate confinement single quantum well structure has been grown by MBE method.
     利用分子束外延生长装置生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制(GRIN-SCH)单量子阱结构材料。
短句来源
     GaAlAs/GaAs material having gradient refraction index, and a separate confinement single quantum well structure has been grown by MBE.
     利用V8 0型MBE生长GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱 (GRIN SCH SQW )结构。
短句来源
     GaAlAs/GaAs materials with gradient refraction index separate confinement single quantum well structure has been grown by MBE.
     利用MBE生长出GaAlAs/GaAs 梯度折射率分别限制单量子阱激光器(GRIN- SCH- SQW) 材料。
短句来源
     The GaAlAs/GaAs material with gradient refraction index separate confinement single quantum well structure has been grown by MBE method.
     利用分子束外延生长装置生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。
短句来源
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  “gradient refraction index”译为未确定词的双语例句
     The analysis provides some help for understanding light phenomena in gradient refraction index medium.
     这些分析展示了渐变折射率介质中光线与均匀介质中光线的差异,对理解和解释变折射率介质中的光学现象有一定帮助.
短句来源
     The path of light in materials with gradient refraction index
     渐变折射率介质中光线路径的数值计算
短句来源
     Curvature of Light Path in Gradient Refraction Index Medium
     变折射率介质中光线的弯曲
短句来源
     GaAlAs/GaAs material with gradient refraction index separate confinement (GRIN-SCH) single quantum well structure has been grown by MBE.
     利用分子束外延技术生长出了GaAlAs/GaAs折射率渐变分别限制单量子阱结构材料。
短句来源
     The GaAlAs/GaAs material with gradient refraction index quantum well structure has been grown by MBE. On the base of AlGaAs, GaAs fundamental material growth, excellent materials by the substrate temperature and Ⅴ/Ⅲ flux ratio optimization were achieved.
     分子束外延生长GaAlAs/GaAs量子阱材料时,适当的衬底温度和Ⅴ/Ⅲ束流比是改善AlGaAs材料生长质量的重要因素。
短句来源
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  相似匹配句对
     The path of light in materials with gradient refraction index
     渐变折射率介质中光线路径的数值计算
短句来源
     The Present Condition and the Development of Gradient-refraction Index Glass
     梯度折射率玻璃的研究现状与进展
短句来源
     Curvature of Light Path in Gradient Refraction Index Medium
     变折射率介质中光线的弯曲
短句来源
     On Astronomical Refraction
     关于天文折射
短句来源
     Gradient Elution
     梯度洗脱
短句来源
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The GaAlAs/GaAs material with gradient refraction index separate confinement single quantum well structure has been grown by MBE method. PL spectrum, double crystal X ray diffraction and electrochemical CV profile in the sampls have been measured. The experimental results show that sample′s quality has reached requirement of design. Manufacture of laser diodes with the material has obtained preliminary result.

利用分子束外延生长法生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。对样品进行了光荧光谱、双晶X射线衍射和电化学电容-电压分布测量。实验结果表明,样品质量达到了设计要求。利用该材料制作的激光二极管获得了初步结果

GaAlAs/GaAs material with gradient refraction index separate confinement (GRIN-SCH) single quantum well structure has been grown by MBE.A laser diode(LD) made from this material is used as the pumping source of Nd:YAG laser to carry out end pumping experiment.Output power of Nd:YAG laser up to 700 mW and optical-to-optical transform efficiency of 26% are obtained at LD current of 3.3 A with the output power of 2.7 W.

利用分子束外延技术生长出了GaAlAs/GaAs折射率渐变分别限制单量子阱结构材料。用该材料作出的激光二极管作泵浦源对Nd:YAG激光器进行端面泵浦实验,在工作电流为3.3A时,LD输出功率为2.7W,得到Nd:YAG激光器的输出功率达700mW,光-光转换效率达26%。

Analysis is made on various factors that influence the quality of GaAs and AlGaAs grown by MBE.GaAlAs/GaAs materials with gradient refraction index separate confinement single quantum well structure has been grown by MBE.The experimental results show that sample's quality has reached design requirement.QCW output power of array laser diodes is up to 60 W with the peak wavelength of 808.4 nm.

对影响分子束外延( MBE) 材料生长的一些主要因素进行了细致的分析。利用MBE生长出GaAlAs/GaAs 梯度折射率分别限制单量子阱激光器(GRIN- SCH- SQW) 材料。利用该材料制作出的列阵半导体激光器的准连续输出功率达到了60 W(t= 200 μs,f= 50 Hz) ,峰值波长为808 .4 nm 。

 
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