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mixed-voltage
相关语句
  混合电压
     The investigation of ESD protection for mixed-voltage I/O
     混合电压I/O电路的ESD保护结构研究
短句来源
     Mixed-voltage Fusion Technique of Digit System
     数字系统中混合电压的融合技术
短句来源
  “mixed-voltage”译为未确定词的双语例句
     ESD Protecting Technology of Mixed-voltage Chip
     复合电压芯片的ESD保护技术
短句来源
     Research of Mixed-Voltage I/O ESD Protection Mechanism Implemented by Substrate-Triggered Technique
     衬底触发层叠式NMOS实现混合I/O静电保护机制研究
短句来源
     A stracked-NMOS triggered silicon-controlled rectifier(SNTSCR) is proposed as the electrostatic discharge(ESD) clamp device to protect the mixed-voltage I/O buffers of CMOS Ics.
     本文提出了NMOS堆栈触发控制硅整流器(SNTSCR)作为ESD箝制工艺用来保护CMOS芯片的I/O端。
短句来源
     The HBM ESD level of the mixed-voltage I/O buffer with the stacked-NMOS channel width of 120μm can be obviously improved from the original~2kv to be greater than 8kv by this SNTSCR device with a device dimension of only 60μm/(0.35)μm.
     带有120μm NMOS堆栈沟道的I/O端的人体模式ESD(HBM ESD)电平可以借助只有60μm/0.35μm的SNTSCR由2kv提高到8kv。
短句来源
  相似匹配句对
     On Mixed Economy
     论混合经济
短句来源
     type C: mixed.
     C型:混合型。
短句来源
     Ready-mixed concrete
     广东省预拌混凝土与机械发展调查报告
短句来源
     TECHNIQUE OF MIXED-CHARGING FOR B. F.
     高炉矿焦混装技术
短句来源
     of rated voltage.
     额定电压下,出口发生三相短路时,不会造成损坏。
短句来源
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This paper presents a synthesis methodology for ECL circuits based on a mixed voltage-current signal representation and operation denned on the voltage and current signals. The ideas presented in this paper are then demonstrated on the design of an ECL 1-bit full adder. The paper concludes by presenting an algebra system which is suitable for current signal representation and operation on currents.

基于混合电压-电流的信号表示及对电流、电压信号定义的运算,本文提出了一种ECL电路的混合综合技术。所提出的方法已用一位全加器的设计实例予以演示。本文最后提出了一个适用于电流信号表示和电流运算的代数系统。

ESD protect theory and methods of mixed voltage chip are introduced in paper,with the focus on the input,output,design and process.

本文介绍了复合电压芯片的ESD问题和解决方法 ,针对不同的复合电压 ,重点介绍了输入、输出、工艺上的不同ESD技术。

We demonstrate that NMOS transistors stacked in a cascode configuration provide robust ESD protection for mixed voltage I/O in both silicided and silicide-blocked technologies. Circuits for gate voltage modulation were added to ensure uniform finger triggering of the fully silicided device. Layout and circuit rules were developed to avoid parasitic breakdown paths.

给出了混合电压 I/O电路坚固的 ESD保护结构,它是由放大器结构的 NMOS晶体管组合而成。这个保护电路由硅化物和硅化物隔离两种工艺研制而成。为了确保硅化物器件指状触发的一致性,增加了栅电压调节电路,研究电路的设计规则以避免产生寄生的击穿路径。

 
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