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device pa
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  器件pa
     On the basis of analysing the shortcomings of voltage amplification unit of the CTA inverter, A new unit is designed with new device PA44. The experiment result shows the design is reasonable and applicable.
     在分析CTA逆变电源中放大单元不足的基础上,提出了一种利用新型器件PA44构成电压放大单元的方法实验表明设计合理,具有较好的利用价值.
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The neutron radiation effects in GaAs MESFET and HEMT are pre- sented in this paper.According to the mechanism of radiation damage,the rela- tion between device parameters and neutron dose Φis discussed.The device pa- rameters indude physical parameters N_D,N_s,V_s,μ,and electronic parameters I_DS,g_m,V_p,G.

本文介绍了GaAsMESFET和HEMT的中子辐射效应。依据中子辐射损伤机理,分析了器件参数与中子辐射剂量Φ的依从关系,其中,器件参数包括物理参数N_D、N_s、V_s,μ和电参数I_DS、g_m、V_p、G等。

On the basis of analysing the shortcomings of voltage amplification unit of the CTA inverter, A new unit is designed with new device PA44. The experiment result shows the design is reasonable and applicable.

在分析CTA逆变电源中放大单元不足的基础上,提出了一种利用新型器件PA44构成电压放大单元的方法实验表明设计合理,具有较好的利用价值.

 
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