界面能带结构 interface band structure(1)   interface band structure      The interface band structure within the defect level could make it clear why the metal-SiC contacts become ohmic during annealing.      通过界面能带结构图直观地解释了欧姆接触在热退火条件下的形成机制. 短句来源   相似匹配句对      Effect of homopolymer interactions on the band and bond structure of copolymers      界面耦合对共聚物能带及键结构的影响 短句来源      The energy band structure of AgBr crystal      AgBr晶体的能带结构 短句来源      The Energy Band Structure of NaBr Crystal      NaBr晶体的能带结构 短句来源      Using AFS algebra and AFS structure, any human ordinary fuzzy concept can be represented.      结构。 短句来源      Compared the actuality of the structure of th      *; 结构; 短句来源 查询“界面能带结构”译词为用户自定义的双语例句     我想查看译文中含有：的双语例句 为了更好的帮助您理解掌握查询词或其译词在地道英语中的实际用法，我们为您准备了出自英文原文的大量英语例句，供您参考。   interface band structure In comparison, the interface between polyaniline and another polymer, PVDF-TrFE, is rather abrupt and a flat-band model can be applied to the interface band structure. 例句来源                Ultraviolet photoelectron spectroscopic(UPS) measurements of the tri (β-naphthyl) phosphine (TNP) film deposited on the Ag(110) surface were made. The TNP derived valence features are located at 3.8,6.3,9.3and 11.0 eV below Fermi level, and the top of the highest occupied molecular orbital(HOMO) of TNP is located at 2.5 eV in binding energy. The work function of Ag(110) is about 4.3 eV, and upon deposition of TNP, the work function decreases to the saturated value of 3.8 eV. Based on the UPS measurements, t...             利用紫外光电子能谱(UPS)对新型有机半导体三萘基膦(TNP)在金属Ag(110)表面上沉积生长及其电子性质等进行了研究.三萘基膦的价带谱峰分别位于费米能级以下3.8,6.3,9.3和11.0eV处,其中,价带顶(HOS)位于费米能级以下约2.5eV处.清洁Ag(110)表面的功函数为4.3eV.随着三萘基膦在Ag(110)表面的沉积,功函数减小到3.8eV,并达到饱和.根据UPS的测量结果,给出了三萘基膦Ag(110)界面的能带结构,且三萘基膦与衬底Ag之间呈弱相互作用行为. 文摘来源       相关查询: 能带 界面( 界面 界面） agent界面 界面粘度 知识界面 非理想界面 界面生态学 界面障碍 程序界面 虚拟界面  对查询结果不满意

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