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能量淀积分布
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  energy deposition distribution
     In this paper, the ion range and energy deposition distribution of the energetic ions in the amorphous Si-target are calculated with Monte-Carlo simulation based on the LSS theory.
     基于LSS理论,本文用蒙特卡洛法模拟计算了不同能量的硼、磷离子注入非晶硅靶及多层靶中的射程和能量淀积分布。 对于多层、多原子靶,利用概率分布和比例函数使它转换成普通靶材料的计算。
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  相似匹配句对
     The range distribution and energy deposition distribution of 15 keV N~+ or Ar~+ implantation in polyether sulfone film
     离子注入聚醚砜的射程分布能量淀积
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     The distribution of light power is studied.
     并研究其能量分布
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     能量和动量淀积深度分布的输运理论研究(英文)
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查询“能量淀积分布”译词为用户自定义的双语例句

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  energy deposition distribution
The dose point kernels represent the probability distribution of the radionuclide energy deposition distribution as a function of the scaled distance.
      


In this paper, the ion range and energy deposition distribution of the energetic ions in the amorphous Si-target are calculated with Monte-Carlo simulation based on the LSS theory. The calculated results are close to the results of the LSS. theory and Biersack's work in 1985. For the FIB implantation, a two dimension normal distribution in the amorphous Si-target by a random sampling of the ion position is also presented. The results show that the transverse profile is correlative with the ion beam radius, and...

In this paper, the ion range and energy deposition distribution of the energetic ions in the amorphous Si-target are calculated with Monte-Carlo simulation based on the LSS theory. The calculated results are close to the results of the LSS. theory and Biersack's work in 1985. For the FIB implantation, a two dimension normal distribution in the amorphous Si-target by a random sampling of the ion position is also presented. The results show that the transverse profile is correlative with the ion beam radius, and the top position of the energy deposition distribution is near the ion beam radius.

基于LSS理论,本文用蒙特卡洛法模拟计算了不同能量的硼、磷离子注入非晶硅靶及多层靶中的射程和能量淀积分布。对于多层、多原子靶,利用概率分布和比例函数使它转换成普通靶材料的计算。计算结果与LSS理论及IBM公司J. P. Biersack等人1985年的计算结果基本相符。对于高斯型分布的微细离子柬注入,对其径向坐标的随机抽样作了模拟分析,结果表明横向分布与束半径密切相关,并且横向能量淀积的峰值位置就在束半径附近。

It is analyzed that range distribution and energy deposition distribution of 15 keV nitroger or argon ions implantation in polyether sulfone film.The increase of surface conductivity(from 2.54×10 -14 /Ω increase to 2.96×10 -9 /Ω) and optical absorptivity(maximum optical absorptivity from 44% increase to 82.5%) after implanted can be explained by using this theory.

计算了 1 5 ke V N+和 Ar+注入聚醚砜薄膜的射程分布和能量淀积分布 ,利用计算的结果说明了离子注入聚醚砜膜后 ,薄膜表面电导率增加 (增加 5个数量级 )和光吸收率增加 (最大吸收率从44%增加到 82 .5 % )现象

 
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